ESD/LATCH-UP/CDM/TLP試験装置のご案内です

Test & Measurement Technology

TLP/VF-TLPテストシステム 
モデルCELESTRON-I

CELESTORON-Iは、高速、高確度、高信頼度で、なおかつ経済的な、先端半導体デバイス構造の特性評価に適した、卓上型2端子TLP測定装置です。標準構成の特長と、追加可能なオプションによって、CELESTORON-Iは、現存す類似製品の中で、最も柔軟度の高い半導体構造の特性評価ツールとなっています。

この装置はウェーハ、パッケージのいずれも測定でき、TLP、VF-TLP、HBM ESD、MM ESD試験の任意の構成に構築できます。オプションのプローブにより、パッケージのピンやパット等、ストレスを印加していない部分の信号も測定できます。

本器のソフトは業界で、最もわかり易い構造となっており、グラフィック画像を使ってシステムの設定や、DUTとの接続を容易にできます。記録したTLPパルス電圧/電流波形の表示、計測/計算したI/V曲線、リーク電流測定及びDCのI/V曲線などが表示されます。操作者は試験電圧(ストレス・パルス)の範囲、パルス極性、リーク測定やカーブ測定のパラメータなどを選択することができます。また、ユーザーはTLPパルス幅の中で測定位置や測定範囲を選択可能です。また、データを収集した後で、これらの設定を変更して、測定結果の変化を調べることができます。

スタンダードタイプTLPの特長

 

パルス幅 30〜500ns

  • 100nsが標準、共通オプションは30nsと200ns(その他も可)
  • 各ケーブルは手動で背面パネルより接続
  • 3種類のパルス幅設定をソフトで選択可能

立上り時間 0.5〜10ns可能

  • オプションのフィルターにより制御
  • フィルターは1個、無償で供給
  • 3種類の立上がり時間をソフトで選択可能

TDR-O

  • パルス幅30ns以上のパルス幅に対してはTDLの標準システム
  • 50Ω送出インピーダンス
  • オシロスコープの制度改善のための「レンジ・アダプター」機能
  • 負荷短絡時の最大電流は20A、50Ω負荷時は10A
  • マルチ設置、マルチ・バイアスピンまたはパッド
  • マルチ設置の通貨経路電流測定、マルチ・ノードの電圧測定が可能

ESDオプション

  • HBMは最大4kV
  • MMは最大400V
  • ESDをパルス印加する毎に、リークを測定しカーブトレース
  • TLP測定時と同一のウェーハプローブ針を使用

TDR-s

  • 50Ω出力インピーダンス
  • 標準TLP構成:パルス幅50ns以下 DUT近傍で測定ポットを使用しない場合
  • 50Ω負荷時は10A、負荷短絡時は20AまでのDUT電流
  • マルチ設置可能

TDT

  • 25Ω送出インピーダンス
  • 最大DUT電流10A(25Ω負荷時)、20A(負荷短絡時)
  • マルチ接地、マルチ・バイアスピンまたはバット、マルチ接地の通過経路電流測定、マルチ・ノードの電圧測定が可能

TDRT

  • 100Ω送出インピーダンス
  • 最大DUT電流6.6A(50Ω負荷時)、10A(負荷短絡時)

500Ω電流源TLP オプション

  • 高効率化のためのHIGH-Z TDRTモード
  • ソフト切替、500Ω、50ΩTDR-Oモード
  • 最大DUT電流1.8A(50Ω負荷時)、2A(負荷短絡時)

DIP 48ピンDUTボード1枚 標準装備

  • 校正用のゼナーダイオードと抵抗器付き

ウェーハ・プローブセット1式 標準装備

  • 出力用50Ω同軸プローブ
  • タングステン グランドプローブ
  • 針は交換可能

高速TLP(VF-TLP)試験の特長

 

パルス幅1.2〜10ns

  • リア・パネルのケーブル変更により選択
  • 標準パルス幅は1.2ns、2.5nsおよび5ns(他はオプション)

最大パルス幅

  • 15A 50Ω負荷時
  • 約30A短絡電流

ウェーハ・レベルやパッケージのDUT試験

立上り時間 100ps〜2ns

  • オプションのフィルタによる制御
  • 3種類の立上り時間をソフトで選択
  • 標準立上り時間200psと300ps
  • フィルタ 1個は無償で供給 装置に内臓

TDR-S

  • 50Ω送出インピーダンス
  • 高周波GSまたはGSGニードル・アッセンブリーを使用(別売り)

TDRT

  • 100Ω出力インピーダンス
  • ウェーハおよびパッケージ試験のためのフレキシブルなプローブ針
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