高温下にあるICに高電界を加えると、ICのカタログ仕様に不適合の項目が発生する場合(例えばIcc、入力リーク、ACパラメータ、ファンクション特性)があります。これを電気熱誘導寄生ゲートリーク(GL)と言います。GLが発生したデバイスは"不良"とみなされますが、GL不良は通常125℃ 4時間(または150℃ 2時間)のベーキングで回復します。 本装置は、高温下で電界を発生させる装置で、AEC-Q100-006 REV-Dに準拠するGL試験を行います。手動試験のモデル 6900Mと、自動試験のモデル 6900Aがあります。